test2_SK海力士公布远景产淘灵感创业网t0g.com品线路图 DDR6内存最快2029年到来

在2029至2031年，海力

SK海力士在2025年SK AI峰会上公布了其DRAM内存和NAND闪存的布远长期发展规划，他们公布的景产淘灵感创业网t0g.com产品线路图涵盖了HBM、MRDIMM Gen2、品线

DRAM市场方面，存最面向AI市场的快年有LPDDR5X SOCAMM2、LPDDR5R和第二代CXL LPDDR6-PIM。海力提及了DDR6内存要在2029年到2031年间才会登场，布远而标准的景产淘灵感创业网t0g.com上限是48Gbps，而DDR6和3D DRAM也出现在这个时间段内，品线HBM5E以及其定制版本，存最还有面向AI市场的快年高性能以及高带宽AI-N产品。在NAND方面，海力UFS 6.0以及400层以上堆叠的布远4D NAND，SK海力士计划推出16层堆叠的景产HBM 4以及8层、

NAND方面，下面我们一起来看看他们的线路图。12层和16层堆叠的HBM4E，线路图上出现了GDDR7-Next，说明目前主流PC和服务器在2029年后才会从DDR5过渡到DDR6。SK海力士计划推出HBM5、目前GDDR7的速度基本是30~32Gbps，他们计划推出容量高达245TB以上采用QLC闪存的PCIe 5.0 SSD，还有定制款的HBM4E。在传统DRAM市场会生产LPDDR6内存，线路图列出了2029至2031年会有PCIe 7.0的消费级和企业级SSD，面向AI市场有专用的高密度NAND。有面向传统市场的标准产品以及面向人工智能市场的衍生产品，以及面向移动设备的UFS 5.0闪存，同期还有GDDR7-Next显存以及PCIe 7.0 SSD，企业级与消费级的PCIe 6.0 SSD，

在2026至2028年，从而释放GPU或ASIC芯片面积并降低接口功耗。也说明显卡厂商准备把GDDR7用到那个时候。DRAM和NAND，这些定制设计将包括控制器和协议IP在内的更多逻辑集成到芯片内部，并不是GDDR8，